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| 58 |
Der Grund liegt darin, dass Kondensatoren meist klobiger[...] |
Der Grund liegt darin, dass Spulen meist klobiger[...] |
| 71 |
[...] muß sein Input im Bereich von +-15V bleiben[...] |
[...]muß sein Input im Bereich von +-15mV bleiben[...] |
| 72 |
[...] wobei bei Punkt A ungefähr -0,6A beibehalten werden. |
[...]wobei bei Punkt A ungefähr -0,6V beibehalten werden. |
| 89 |
[..]; nur ist die Ansteuerung leichter. |
[...] die Ansteuerung ist leichter. |
| 90 |
[...] für Silikontransistoren klein ist, häufig 6 Volt. |
[...] für Siliziumtransistoren klein ist, häufig 6 Volt. |
| 91 |
[...] für Ladeströme von 0 bis 100mA. |
[...] für Lastströme von 0 bis 100mA. |
| 91 |
RC schützt den Transistor [...] |
RC schützt den Transistor [...] |
| 95 |
[...] der erste Teil der exponentielle Ladekurve eines RC. |
[...] der erste Teil der exponentielle Ladekurve eines RC-Gliedes. |
| 97 |
Die letzte Spannung [...] |
Die letzte Schaltung [...] |
| 99 |
[...] das Verhaltung der Spannungsquelle [...] |
[...] das Verhaltung der Stromquelle [...] |
| 99 |
Die Spannungsquelle Q1 [...] |
Die Stromquelle Q1 [...] |
| 103 |
IC = hFEIB |
Ic = hFEIB |
| 110 |
[...] wobei zwei Transistoren auf einem einzigen Silikonstück aufgebracht sind |
[...] wobei zwei Transistoren auf einem einzigen Siliziumstück aufgebracht sind |
| 121 |
[...] das Eingangssignal mit dem Teiler zu laden [...] |
[...] das Eingangssignal mit dem Teiler zu belasten [...] |
| 123 |
[...] Reaktion auf ein Normalmodesignal [...] |
[...] Reaktion auf ein Gegentaktsignal [...] |
| 164 |
[...] somit ergeben sich höhere kapazitive Ströme bei gleicher Kapazität. |
[...] somit stören kapazitive Ströme relativ zum Eingangsstrom bei FETs stärker. |
| 167 |
[...] , die direkt an die Stromversorgung liefern können. |
[...] , die auf Höhe der Spannungsversorgung liegen können. |
| 172 |
[...], so daß sich keine Verstärkung in der Geschwindkeit ergibt. |
[...], so dass sich kein Geschwindigkeitsgewinn ergibt. |
| 181 |
[...] verhindert ein Aufladen des Kondensators[...] |
[...] verhindert ein Entladen des Kondensators[...] |
| 188 |
[...](dabei ist jedoch eine hohe Eingangsimpendanz zu beachten, besonders bei Bauteilen für hohe Stromstärken)[...] |
[...](dabei ist jede eine hohe Ausgangsimpendanz zu beachten [...] |
| 194 |
RDS(ein) max. [W] |
RDS(ein) max. [Ω] |
| 196 |
[...] wobei allerdings die Ansteuerung von Up12 unter 20 Volt liegen müßte. |
[...] wobei allerdings die Ansteuerung von VP12 unter 20 Volt liegen müßte. |
| 215 |
[...] nie mit mehr als 150 Volt Vollausschlag angesteuert wird. |
[...] nie mit mehr als 150% des Vollausschlags angesteuert wird. |
| 217 |
Es gibt handelsübliche Leistungsendstufen mit Operationsverstärkern [...] |
Es gibt handelsübliche Leistungsendstufen (=Buffer) für Operationsverstärkern [...] |
| 236 |
Typ: LFnnn |
??? |
| 242 |
[...] nicht besonders elegant ist, esie doch ihren Zweck. |
[...] nicht besonders elegant ist, erfüllt sie doch ihren Zweck. |
| 246 |
Ein Operationsverstärker wie der 411 mit einem Vorspannungsstrom von 80nA ist ungeeignet; gewöhnlich ist ein Operationsverstärker mit einem FET im Eingang, wie der 411, notwendig [...] |
Ein Operationsverstärker wie der 741 mit einem Vorspannungsstrom von 80nA [...] |
| 252 |
[...] durch den maximalen Ausgangsstrom von 20mV [...] |
[...] durch den maximalen Ausgangsstrom von 20mA [...] |
| 257 |
Uaus = 1/(RC)*Integral (Uein)dt + konstant |
Uaus = - 1/(RC)*Integral (Uein)dt + konstant(das ist auch im englischen Original falsch!) |
| 275 |
[Zaus] W |
[Zaus] Ω |
| 308 |
[...] wobei Tn das Tschebyscheff-Polynom n-ter Ordnung [...] |
[...] wobei Cndas Tschebyscheff-Polynom n-ter Ordnung [...](alternativ: das Cn in der Formel darüber in Tn ändern) |
| 360 |
[...] widersteht sogar Spannungsstößen von 80 Ampere |
[...] widersteht sogar Stromstößen von 80 Ampere |
| 424 |
[...] und nimmt bei Ladeströmen von über einigen Milliampere beträchtlich ab. |
[...] und nimmt bei Lastströmen von über einigen Milliampere beträchtlich ab. |
| 425 |
Abbildung 6.59: Ladestrom [mA] |
Abbildung 6.59: Laststrom [mA] |